著錄信息
- 專利名稱：半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)、其測(cè)試方法及其制造方法
- 專利類型：發(fā)明
- 申請(qǐng)?zhí)枺?/em>CN201210526395.X
- 公開(kāi)(公告)號(hào)：CN103872016B
- 申請(qǐng)日：20121207
- 公開(kāi)(公告)日：20160907
- 申請(qǐng)人：中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
- 發(fā)明人：許曉鋒,宋永梁
- 申請(qǐng)人地址：201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào)
- 申請(qǐng)人區(qū)域代碼：CN310115
- 專利權(quán)人：中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
- 洛迦諾分類：無(wú)
- IPC：H01L23/544,H01L21/768,G01R31/26
- 優(yōu)先權(quán)：無(wú)
- 專利代理機(jī)構(gòu)：上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
- 代理人：屈蘅;李時(shí)云
- 審查員：劉瑋德
- 國(guó)際申請(qǐng)：無(wú)
- 國(guó)際公開(kāi)(公告)：無(wú)
- 進(jìn)入國(guó)家日期：無(wú)
- 分案申請(qǐng)：無(wú)
關(guān)鍵詞
測(cè)試,柵結(jié)構(gòu),半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu),第二類型阱,測(cè)試階段,電容結(jié)構(gòu),柵介質(zhì)層,摻雜區(qū),襯底,封裝,半導(dǎo)體,測(cè)試成本,測(cè)試效率,襯底電流,隔離結(jié)構(gòu),柵導(dǎo)電層,振蕩電流,漏區(qū),節(jié)約,制造
網(wǎng)站提醒和聲明
免責(zé)聲明：
本站為會(huì)員提供信息存儲(chǔ)空間服務(wù)，由于更新時(shí)間等問(wèn)題，可能存在信息偏差的情況，具體請(qǐng)以品牌企業(yè)官網(wǎng)信息為準(zhǔn)。如有侵權(quán)、錯(cuò)誤信息或任何問(wèn)題，請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系我們，我們將在第一時(shí)間刪除或更正。
版權(quán)聲明>>
修改>>
申請(qǐng)刪除>>
網(wǎng)頁(yè)上相關(guān)信息的知識(shí)產(chǎn)權(quán)歸網(wǎng)站方所有(包括但不限于文字、圖片、圖表、著作權(quán)、商標(biāo)權(quán)、為用戶提供的商業(yè)信息等)，非經(jīng)許可不得抄襲或使用。本站不生產(chǎn)產(chǎn)品、不提供產(chǎn)品銷售服務(wù)、不代理、不招商、不提供中介服務(wù)。本頁(yè)面內(nèi)容不代表本站支持投資購(gòu)買的觀點(diǎn)或意見(jiàn)，頁(yè)面信息僅供參考和借鑒。
提交說(shuō)明：
快速提交發(fā)布>>
查看提交幫助>>
注冊(cè)登錄>>
