內(nèi)存條的總?cè)萘繋追N

內(nèi)存的容量一般都是2的整次方倍，比如64MB、128MB、256MB、512MB、1GB、2GB等，一般而言，內(nèi)存容量越大越有利于系統(tǒng)的運(yùn)行。進(jìn)入21世紀(jì)初期，臺(tái)式機(jī)中主流的內(nèi)存條采用的內(nèi)存容量為2GB或4GB，512MB、256MB的內(nèi)存已較少采用。

內(nèi)存條的種類有哪些

1、SDRAM

同步動(dòng)態(tài)隨即存取存儲(chǔ)器，SDRAM的內(nèi)存條上（就是那一排插槽的地方）中間有2條用來(lái)間隔的空隙，目前基本被淘汰。

2、DDRAM

雙倍傳輸速度隨即存取存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱DDR，是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的，但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個(gè)針腳，主要包含了新的控制、時(shí)鐘、電源和接地等信號(hào)。

DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。

3、RDRAM

總線式動(dòng)態(tài)隨即存取存儲(chǔ)器，是美國(guó)的RAMBUS公司開(kāi)發(fā)的一種內(nèi)存。與DDR和SDRAM不同，它采用了串行的數(shù)據(jù)傳輸模式。