一、euv光刻膠是什么

euv光刻膠也稱極紫外光刻膠或EUVL，是一種使用極紫外（EUV）波長的下一代光刻技術(shù)。EUV光刻膠采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm，它能夠把光刻技術(shù)擴(kuò)展到32nm以下的特征尺寸。

二、euv光刻膠的缺點(diǎn)

EUV光刻膠用于晶圓廠的芯片生產(chǎn)，它使用一個巨大的掃描儀在高級節(jié)點(diǎn)上對芯片的微小特征進(jìn)行圖案化，在操作中，EUV的掃描儀產(chǎn)生光子，最終與晶圓上的光敏材料光刻膠相互作用，以形成精確的特征化圖案。

不過，并不是每次都可以實(shí)現(xiàn)精確圖案化，在EUV中，光子撞擊光刻膠發(fā)生反應(yīng)且這一動作重復(fù)多次，這些過程充滿不可預(yù)測性和隨機(jī)性，可能會產(chǎn)生新的反應(yīng)，也就是說EUV光刻工藝容易出現(xiàn)所謂的隨機(jī)性，是具有隨機(jī)變量的事件，這些變化被統(tǒng)稱為隨機(jī)效應(yīng)。隨機(jī)效應(yīng)有時(shí)會導(dǎo)致芯片中出現(xiàn)不必要的接觸缺陷或有粗糙度的圖案，兩者都會影響芯片的性能，甚至導(dǎo)致設(shè)備出現(xiàn)故障。

在操作中，EUV掃描儀應(yīng)該在芯片中創(chuàng)建各種圖案，例如微小的接觸孔、線條和通孔，并且具有良好的均勻性。但有時(shí)，掃描儀可能無法圖案化所需線條，出現(xiàn)換行符，無法打印每一個接觸孔，出現(xiàn)缺失接觸，其他情況下，該過程還會導(dǎo)致一個或多個孔合并，出現(xiàn)“接吻接觸”。

換行符、缺失接觸和接吻接觸都被認(rèn)為是隨機(jī)效應(yīng)引起的缺陷，另一個隨機(jī)效應(yīng)是線邊緣粗糙度（LER）。LER被定義為特征邊緣與理想形狀的偏差，不隨特征大小而縮放，因此是有問題的。