一、IGBT功率模塊多少錢一個(gè)

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊，具有輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、控制電路簡單、開關(guān)損耗小、通斷速度快、工作頻率高等優(yōu)點(diǎn)，那么IGBT功率模塊的價(jià)格是多少呢？

一般一個(gè)IGBT功率模塊，其價(jià)格主要受到它的生產(chǎn)廠家、電壓電流等參數(shù)、設(shè)計(jì)、性能等因素的影響，市場價(jià)從一兩百元一個(gè)到兩三千元一個(gè)的都有。（以上價(jià)格來源網(wǎng)絡(luò)，僅供參考）

二、igbt模塊怎么選型

igbt模塊在選型時(shí)，主要考慮以下三個(gè)方面：

1、IGBT額定電壓的選擇

三相380V輸入電壓經(jīng)過整流和濾波后，直流母線電壓的最大值：在開關(guān)工作的條件下，IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍，根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級，選擇1200V電壓等級的IGBT。

2、IGBT額定電流的選擇

以30kW變頻器為例，負(fù)載電流約為79A，由于負(fù)載電氣啟動或加速時(shí)，電流過載，一般要求1分鐘的時(shí)間內(nèi)，承受1.5倍的過流，擇最大負(fù)載電流約為119A，建議選擇150A電流等級的IGBT。

3、IGBT開關(guān)參數(shù)的選擇

變頻器的開關(guān)頻率一般小于10kHZ，而在實(shí)際工作的過程中，IGBT的通態(tài)損耗所占比重比較大，建議選擇低通態(tài)型IGBT。

三、IGBT選型四個(gè)基本要求

igbt選型時(shí)，還要考慮是否符合下面四個(gè)基本要求：

1、安全工作區(qū)

在安全上面，主要指的就是電的特性，除了常規(guī)的變壓電流以外，還有RBSOA（反向偏置安全工作區(qū)）和短路時(shí)候的保護(hù)。這個(gè)是開通和關(guān)斷時(shí)候的波形，這個(gè)是相關(guān)的開通和關(guān)斷時(shí)候的定義。我們做設(shè)計(jì)時(shí)結(jié)溫的要求，比如長期工作必須保證溫度在安全結(jié)溫之內(nèi)，做到這個(gè)保證的前提是需要把這個(gè)模塊相關(guān)的應(yīng)用參數(shù)提供出來。這樣結(jié)合這個(gè)參數(shù)以后，結(jié)合選擇的IGBT的芯片，還有封裝和電流，來計(jì)算產(chǎn)品的功耗和結(jié)溫，是否滿足安全結(jié)溫的需求。

2、熱限制

熱限制就是我們脈沖功，時(shí)間比較短，它可能不是一個(gè)長期的工作點(diǎn)，可能突然增加，這個(gè)時(shí)候就涉及到另外一個(gè)指標(biāo)，動態(tài)熱阻，我們叫做熱阻抗。這個(gè)波動量會直接影響到IGBT的可靠性，就是壽命問題。你可以看到50赫茲波動量非常小，這個(gè)壽命才長。

3、封裝要求

封裝要求主要體現(xiàn)在外部封裝材料上面，在結(jié)構(gòu)上面，其實(shí)也會和封裝相關(guān)，因?yàn)樵O(shè)計(jì)的時(shí)候會布局和結(jié)構(gòu)的問題，不同的設(shè)計(jì)它的差異性很大。

4、可靠性要求

可靠性問題，前面說到了結(jié)溫波動，其中最擔(dān)心就是結(jié)溫波動以后，會影響到這個(gè)綁定線和硅片之間的焊接，時(shí)間久了，這兩種材料本身之間的熱抗系數(shù)都有差異，所以在結(jié)溫波動情況下，長時(shí)間下來，如果工藝不好的話，就會出現(xiàn)裂痕甚至斷裂，這樣就會影響保護(hù)壓降，進(jìn)一步導(dǎo)致IGBT失效。第二個(gè)就是熱循環(huán)，主要體現(xiàn)在硅片和DCB這個(gè)材料之間，他們之間的差異性。