一、igbt和mos管的區(qū)別有哪些

1、什么是igbt

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。

2、mos管是什么

MOS管即MOSFET，又叫絕緣柵場效應(yīng)管，是場效應(yīng)管的一種類型。MOSFET又可分為N溝耗盡型、增強型、P溝耗盡型和增強型四大類。

3、igbt和mos管的區(qū)別

（1）在結(jié)構(gòu)上，MOSFET和IGBT看起來非常相似，實則不同。IGBT由發(fā)射極、集電極和柵極端子組成，而MOSFET由源極、漏極和柵極端子組成。IGBT的結(jié)構(gòu)中有PN結(jié)，MOSFET沒有任何PN結(jié)。

（2）在低電流區(qū)，MOSFET的導(dǎo)通電壓低于IGBT；在大電流區(qū)IGBT的正向電壓特性優(yōu)于MOSFET。

（3）IGBT的高溫特性更好，導(dǎo)通電壓比MOSFET低。

（4）IGBT適用于中到極高電流的傳導(dǎo)和控制，而MOSFET適用于低到中等電流的傳導(dǎo)和控制。

（5）IGBT不適合高頻應(yīng)用，它能在千Hz頻率下運行良好。MOSFET特別適合非常高頻的應(yīng)用，它可以在兆Hz頻率下運行良好。

（6）IGBT的開關(guān)速度比較低，MOSFET開關(guān)速度非常高。

（7）IGBT可以承受非常高的電壓以及大功率，MOSFET僅適用于低至中壓應(yīng)用。

（8）IGBT具有較大的關(guān)斷時間，MOSFET的關(guān)斷時間較小。

（9）IGBT可以處理任何瞬態(tài)電壓和電流，但當(dāng)發(fā)生瞬態(tài)電壓時，MOSFET的運行會受到干擾。

（10）MOSFET器件成本低，價格便宜，而IGBT至今仍屬于較高成本器件。IGBT適合高功率交流應(yīng)用，MOSFET適合低功率直流應(yīng)用。?

二、igbt和mos管哪個好

igbt和mos管相比，各有各的優(yōu)勢和缺點，并不好說哪種更好，主要是根據(jù)實際應(yīng)用場合來選擇：

1、IGBT的主要優(yōu)勢是能夠處理和傳導(dǎo)中至超高電壓和大電流，擁有非常高的柵極絕緣特性，且在電流傳導(dǎo)過程中產(chǎn)生非常低的正向壓降，哪怕浪涌電壓出現(xiàn)時，IGBT的運行也不會受到干擾。與MOSFET相比，IGBT開關(guān)速度較慢，關(guān)斷時間較長，不適合高頻應(yīng)用，比較適合高壓大電流應(yīng)用。

2、MOSFET的優(yōu)點決定了它非常適合高頻且開關(guān)速度要求高的應(yīng)用。在開關(guān)電源（SMPS）中，MOSFET的寄生參數(shù)至關(guān)重要，它決定了轉(zhuǎn)換時間、導(dǎo)通電阻、振鈴（開關(guān)時超調(diào)）和背柵擊穿等性能，這些都與SMPS的效率密切相關(guān)。對于門驅(qū)動器或者逆變器應(yīng)用，通常需要選擇低輸入電容（利于快速切換）以及較高驅(qū)動能力的MOSFET。?

三、igbt和mos管能互換嗎

不能。

IGBT和MOSFET工作特性不一樣，一般不能互換，在考慮具體技術(shù)細(xì)節(jié)的情況下，可以用IGBT替代MOSFET，需要考慮的問題點有：

1、電路的工作頻率

IGBT工作頻率低，一般25Khz是上限。如果電路工作頻率超過IGBT頻率上限（以具體管子數(shù)據(jù)手冊為準(zhǔn)），不能替換。

2、驅(qū)動電路的關(guān)斷方式

MOSFET可以用零壓關(guān)斷，也可以用負(fù)壓關(guān)斷。IGBT只能用負(fù)壓關(guān)斷。如果電路驅(qū)動電路，只是零壓關(guān)斷，一般不能替代。

3、功率管并聯(lián)

MOSFET是正溫度特性，可以直接并聯(lián)擴流，而IGBT是負(fù)溫度特性，不能直接并聯(lián)。如果電路是多個MOSFET并聯(lián)使用，不能用IGBT簡單替換。

4、電路是否需要開關(guān)器件續(xù)流二極管

MOSFET自帶寄生二極管，IGBT則是另外加進(jìn)去的。保險起見，只選擇帶續(xù)流二極管的IGBT。

5、IGBT輸入電容

IGBT輸入電容要和原電路MOSFET的輸入電容接近。這只是考慮驅(qū)動電路的驅(qū)動能力，與MOSFET和IGBT特性無關(guān)。

6、過流保護(hù)電路

對過流保護(hù)電路，IGBT要求更高。如果沒有電路圖的話，可以通過短路試驗來確定能否替換。

對于常見的簡單電路，考慮上述幾個因素，就可以用符合功率耐壓要求IGBT替代MOSFET。