1、接觸式曝光（Contact Printing）

掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當(dāng)，設(shè)備簡單。接觸式，根據(jù)施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。

（1）軟接觸：就是把基片通過托盤吸附?。愃朴趧蚰z機的基片放置方式），掩膜蓋在基片上面。

（2）硬接觸：是將基片通過一個氣壓（氮氣），往上頂，使之與掩膜接觸。

（3）真空接觸：是在掩膜和基片中間抽氣，使之更加好的貼合（想一想把被子抽真空放置的方式）。

缺點：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損，容易損壞，壽命很低（只能使用5～25次）；容易累積缺陷；上個世紀(jì)七十年代的工業(yè)水準(zhǔn)，已經(jīng)逐漸被接近式曝光方式所淘汰了，國產(chǎn)光刻機均為接觸式曝光，國產(chǎn)光刻機的開發(fā)機構(gòu)無法提供工藝要求更高的非接觸式曝光的產(chǎn)品化。

2、接近式曝光（Proximity Printing）

掩膜板與光刻膠基底層保留一個微小的縫隙（Gap），Gap大約為0～200μm。可以有效避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷，使掩膜和光刻膠基底能耐久使用；掩模壽命長（可提高10倍以上），圖形缺陷少。接近式在現(xiàn)代光刻工藝中應(yīng)用最為廣泛。

3、投影式曝光（Projection Printing）

在掩膜板與光刻膠之間使用光學(xué)系統(tǒng)聚集光實現(xiàn)曝光。一般掩膜板的尺寸會以需要轉(zhuǎn)移圖形的4倍制作。優(yōu)點：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影響減小。

投影式曝光分類：

（1）掃描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初，〉1μm工藝；掩膜板1：1，全尺寸；

（2）步進重復(fù)投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或稱作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～0.25μm（DUV）。掩膜板縮小比例（4：1），曝光區(qū)域（Exposure Field）22×22mm（一次曝光所能覆蓋的區(qū)域）。增加了棱鏡系統(tǒng)的制作難度。

（3）掃描步進投影曝光（Scanning-Stepping Project Printing）。90年代末～至今，用于≤0.18μm工藝。采用6英寸的掩膜板按照4：1的比例曝光，曝光區(qū)域（Exposure Field）26×33mm。優(yōu)點：增大了每次曝光的視場；提供硅片表面不平整的補償；提高整個硅片的尺寸均勻性。但是，同時因為需要反向運動，增加了機械系統(tǒng)的精度要求。

4、高精度雙面

主要用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產(chǎn)。

高精度特制的翻版機構(gòu)、雙視場CCD顯微顯示系統(tǒng)、多點光源曝光頭、真空管路系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、直聯(lián)式無油真空泵、防震工作臺等組成。

適用于φ100mm以下，厚度5mm以下的各種基片的對準(zhǔn)曝光。

5、高精度單面

針對各大專院校、企業(yè)及科研單位，對光刻機使用特性研發(fā)的一種高精度光刻機，中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、光電子器件、聲表面波器件的研制和生產(chǎn)。

高精度對準(zhǔn)工作臺、雙目分離視場CCD顯微顯示系統(tǒng)、曝光頭、氣動系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)、直聯(lián)式無油真空泵、防震工作臺和附件箱等組成。

解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準(zhǔn)的問題。